Строение атома. Планетарная модель атома Резерфорда

Содержание

Слайд 2

Планетарная модель атома Резерфорда

 

Планетарная модель атома Резерфорда

Слайд 3

1) В атоме существуют орбиты, двигаясь по которым, электрон не излучает.

1) В атоме существуют орбиты, двигаясь по которым, электрон не излучает. Они
Они называются стационарными.
2) Излучение или поглощение энергии происходит в результате перехода электрона с одной стационарной орбиты на другую.
Удаленные от ядра орбиты характеризуются большим запасом энергии. При переходе от низших к высшим орбитам атом переходит в возбужденное состояние. Но в этом состоянии он может находиться недолго. Он излучает энергию и возвращается на исходное
основное состояние.
При этом энергия кванта излучения равна:
h = En – Ek, где n и k – целые числа.

Слайд 4

Луи Де Бройль

В 1924 году французский физик Луи Де Бройль высказал

Луи Де Бройль В 1924 году французский физик Луи Де Бройль высказал
гипотезу о том, что установленный ранее для фотонов корпускулярно-волновой дуализм присущ всем частицам: электронам, протонам, атомам и так далее, причем, количественные соотношения между волновыми и корпускулярными свойствами частиц те же, что и для фотонов.

Слайд 5

Принцип неопределённости Гейзенберга

Чем точнее мы знаем координаты частицы, тем менее точно

Принцип неопределённости Гейзенберга Чем точнее мы знаем координаты частицы, тем менее точно
мы можем определить ее импульс и наоборот.
-- Вернет Гейзенберг, 1927

Слайд 6

Электрон в атоме является стоячей волной (его состояние не зависит от времени).

Электрон в атоме является стоячей волной (его состояние не зависит от времени).
Он представляет собой облако определённой формы, в центре которого находится ядро атома. Размеры электронного облака многократно превосходят размеры ядра.

Слайд 7

Квантовые числа

n – главное квантовое число; оно определяет размеры электронного облака и

Квантовые числа n – главное квантовое число; оно определяет размеры электронного облака
энергию электрона
n = 1, 2, 3, …
l – орбитальное квантовое число; оно определяет форму электронного облака, а также энергию
l = 0, 1, 2, 3, … (n-1)
ml – магнитное квантовое число; оно характеризует ориентацию электронного облака в пространстве
ml = -l, -(l-1), …-2, -1, 0, 1, 2, … (l-1), l

Слайд 8

Состояние электрона в многоэлектронном атоме

Чем больше n, тем больше энергия электрона (больше

Состояние электрона в многоэлектронном атоме Чем больше n, тем больше энергия электрона
размер электронного облака, меньше прочность связи его с ядром)
Чем больше l (при одинаковых n), тем больше энергия электрона
Электрон, кроме электрического заряда, обладает магнитными свойствами, которые характеризуются спиновым квантовым числом ms, введённым Дираком
Спиновое квантовое число может принимать только 2 значения: +½ и -½
Электроны с одинаковыми ms (с параллельными спинами) отталкиваются, а с противоположными ms (антипараллельными спинами) – притягиваются

Слайд 9

Принцип наименьшей энергии

Атом стремится к минимуму энергии. Электроны заполняют АО с увеличением

Принцип наименьшей энергии Атом стремится к минимуму энергии. Электроны заполняют АО с
энергии (с увеличением значений n + l), начиная c n = 1
При одинаковых значениях n + l первыми заполняются АО с меньшим n (правило Клечковского)

Слайд 10

Принцип Паули (принцип запрета)

В атоме не может быть двух электронов с одинаковым

Принцип Паули (принцип запрета) В атоме не может быть двух электронов с
набором четырёх квантовых чисел n, l, ml, ms. Это означает, что любая орбиталь может быть занята не более чем двумя электронами, отличающимися спиновым квантовым числом.
Орбиталь может :
быть вакантной (без электронов)
содержать один (неспаренный) электрон
содержать два электрона (неподелённую пару электронов)

Слайд 11

Правило Хунда

Модуль суммарного значения спинового квантового числа электронов данной электронной оболочки должен быть максимальным
Правило Хунда определяет

Правило Хунда Модуль суммарного значения спинового квантового числа электронов данной электронной оболочки
порядок заполнения орбиталей с l > 0

S = (+½) + (-½) + (+½) = +½

S = (+½) + (+½) + (+½) = +1½

По правилу Хунда

2p

2p

N

Слайд 12

Правила заполнения энергетических уровней

Правило Клечковского (1961 г.):
Меньшей энергии электрона отвечает состояние,

Правила заполнения энергетических уровней Правило Клечковского (1961 г.): Меньшей энергии электрона отвечает
которое характеризуется меньшей суммой главного и орбитального квантовых чисел.
При равенстве сумм (n+1) электрон заполняет орбиталь с меньшим значением n. Например, на подуровнях 3d, 4p, 5s сумма n и 1 равна 5.
В этом случае происходит сначала заполнение подуровней с меньшими значениями n, т.е. 3d – 4p – 5s и так далее.

Слайд 13

Типы химической связи

Ковалентная:
неполярная (образуется между атомами с одинаковой электроотрицательностью);
полярная (образуется между атомами

Типы химической связи Ковалентная: неполярная (образуется между атомами с одинаковой электроотрицательностью); полярная
с разной электроотрицательностью)
Ионная
Металлическая

Слайд 14

Основные положения метода ВС

1. Ковалентная связь образуют два электрона с противоположным

Основные положения метода ВС 1. Ковалентная связь образуют два электрона с противоположным
спинами, принадлежащие двум атомам
2. При образовании связи происходит перекрывание АО и увеличение электронной плотности между ними, что приводит к уменьшению энергии
3. Связь реализуется в направлении наибольшего перекрывания АО

Слайд 16

Энтальпия – функция состояния

ΔH = H2 – H1 = U2 + pV2

Энтальпия – функция состояния ΔH = H2 – H1 = U2 +
– U1 – pV1 =
= (U2 – U1) + p(V2 - V1) =
= ΔU + pΔV
ΔH = ΔU + pΔV

Слайд 17

Экзо- и эндотермические процессы

Эндотермический процесс
ΔH = H2 – H1 > 0

Экзо- и эндотермические процессы Эндотермический процесс ΔH = H2 – H1 >

H2 > H1
Экзотермический процесс
ΔH = H2 – H1 < 0
H2 < H1

Слайд 30

Коллигативные свойства

Давление пара над раствором

Вант-Гофф
Осмотическое давление

1 закон Рауля:

Температуры кипения и кристаллизации растворов

2

Коллигативные свойства Давление пара над раствором Вант-Гофф Осмотическое давление 1 закон Рауля:
закон Рауля

E – эбулиоскопическая
К – криоскопическая постоянная растворителя
Сm молярная концентрация растворов

Схема возникновения осмоса:
1 – полупроницаемая перегородка
2 – начальный уровень растворов
I и II (CII>Ci);
3 – равновесный уровень растворов

Слайд 32

Закон разбавления Освальда

СM – молярная концентрация электролита
Степень диссоциации уменьшается с увеличением концентрации

Закон разбавления Освальда СM – молярная концентрация электролита Степень диссоциации уменьшается с увеличением концентрации слабого электролита
слабого электролита

Слайд 37

Гидролиз и по катиону и по аниону

(NH4)2S + H2O NH3∙H2O + NH4HS

pKa(HS-)

Гидролиз и по катиону и по аниону (NH4)2S + H2O NH3∙H2O +
= 14.7; pKb(NH3∙H2O) = 4.75

Чем слабее кислота или основание, тем сильнее гидролизуются их соли

pH > 7

Слайд 38

Гидролиз и по катиону и по аниону

Необратимый гидролиз – частный случай гидролиза

Гидролиз и по катиону и по аниону Необратимый гидролиз – частный случай
и по катиону и по аниону (наблюдается редко)
Al2S3 + 6H2O 2Al(OH)3↓ + 3H2S↑
Cr2S3 + 6H2O 2Cr(OH)3 ↓ + 3H2S↑

Слайд 39

Степень гидролиза

Nh ― число ионов, подвергшихся гидролизу;
N ― число ионов, способных к

Степень гидролиза Nh ― число ионов, подвергшихся гидролизу; N ― число ионов,
гидролизу
αh = 0 ÷ 1

В большинстве случаев степень гидролиза мала. Так, при молярной концентрации NH4Cl 0,01% αh < 0,01%

Слайд 40

Константа гидролиза по катиону

NH4+ + H2O NH3∙H2O + H+

Константа гидролиза по катиону NH4+ + H2O NH3∙H2O + H+

Слайд 41

Константа гидролиза по аниону

CN– + H2O HCN + OH–

[H2O] = 55,5 моль/л

Константа гидролиза по аниону CN– + H2O HCN + OH– [H2O] = 55,5 моль/л

Слайд 42

Константа гидролиза по катиону и аниону

Константа гидролиза по катиону и аниону

Слайд 43

Факторы, влияющие на степень гидролиза соли

С увеличением Ka (Kb) степень гидролиза соли

Факторы, влияющие на степень гидролиза соли С увеличением Ka (Kb) степень гидролиза
уменьшается
С увеличением концентрации соли в растворе степень гидролиза соли уменьшается
С увеличением температуры степень гидролиза соли увеличивается (увеличивается Kw)

Слайд 44

Окислительно-восстановительные реакции

Окислительно-восстановительные реакции (ОВР) – реакции переноса электронов от одних частиц к

Окислительно-восстановительные реакции Окислительно-восстановительные реакции (ОВР) – реакции переноса электронов от одних частиц
другим. При этом изменяются степени окисления атомов.
Окислитель принимает электроны и восстанавливается
Восстановитель отдаёт электроны и окисляется

Слайд 45

Сопряжённые окислители и восстановители

Red1 и Ox1, Red2 и Ox2 – сопряжённые восстановители

Сопряжённые окислители и восстановители Red1 и Ox1, Red2 и Ox2 – сопряжённые
и и окислители (окислительно-восстановительные пары, восстановленные и окисленные формы веществ)

Слайд 46

Пример

2KMnVIIO4 + 16HCl-I = 2MnIICl2 + 5Cl20 + 2KCl + 8H2O
MnO4- +

Пример 2KMnVIIO4 + 16HCl-I = 2MnIICl2 + 5Cl20 + 2KCl + 8H2O
8H+ + 5ē = Mn2+ + 4H2O
окислитель восстановитель
(окисленная форма) (восстановленная форма)
2Cl- - 2ē = Cl2
восстановитель окислитель
(восстановленная форма) (окисленная форма)
MnO4-/Mn2+
Cl2/2Cl-

Слайд 47

Типы ОВР

Межмолекулярные
I20 + 5Cl20 + 6H2O = 10HCl-I + 2HIVO3
8KI-I + 5H2SVIO4(конц.)

Типы ОВР Межмолекулярные I20 + 5Cl20 + 6H2O = 10HCl-I + 2HIVO3
= 4I20 + H2S-II + 4K2SO4 + 4H2O
Внутримолекулярные
(N-IIIH4)2CrVI2O7 = N20 + CrIII2O3 + 4H2O (при нагревании)
Диспропорционирование
6Cl20 + 6Ba(OH)2 = 5BaCl-I2 + Ba(ClVO3)2 + 6H2O (при нагревании)
2Na2S0,IV2O3 = Na2S-II + 3Na2SVIO4 (при нагревании)

Слайд 48

Окислители

Простые вещества: F2, O3
Вещества с элементами в высших степенях окисления: HNVO3, H2SVIO4,

Окислители Простые вещества: F2, O3 Вещества с элементами в высших степенях окисления:
KMnVIIO4, HClVIIO4, K2CrVIO4, K2CrVI2O7, K2FeVIO4, KBiVO3, PbIVO2, SbV2O5, XeVIF6, XeVIO3

Слайд 49

Восстановители

Простые вещества: металлы
Вещества с атомами в низших степенях окисления: Na2S-II, Na2Se-II, KI-I,

Восстановители Простые вещества: металлы Вещества с атомами в низших степенях окисления: Na2S-II,
KBr-I, NaH-I, B2H-I6, Si-IVH4

Слайд 50

Направление ОВР

ОВР протекает самопроизвольно, если ΔrG < 0
Для полуреакции
nOx + zē mRed
ΔrG

Направление ОВР ОВР протекает самопроизвольно, если ΔrG Для полуреакции nOx + zē
= ΔrH - TΔrS = -zFφ
Постояная Фарадея F = 96425 Кл/моль

Слайд 51

Уравнение Нернста

Уравнение Нернста

Слайд 52

Самопроизвольное протекание ОВР

Для самопроизвольной химической реакции
E = φвосстановление – φокисление > 0
Для

Самопроизвольное протекание ОВР Для самопроизвольной химической реакции E = φвосстановление – φокисление
предварительной оценки возможности самопроизвольного протекания реакции можно вычислить стандартное напряжение гальванического элемента
E° = φ°восстановление – φ°окисление > 0

Слайд 53

Стандартный водородный электрод

2H+ + 2ē → H2

Стандартный водородный электрод 2H+ + 2ē → H2

Слайд 54

Гальванические элементы (электрохимические цепи)

Гальванический элемент – устройство, состоящее из двух соединённых между

Гальванические элементы (электрохимические цепи) Гальванический элемент – устройство, состоящее из двух соединённых
собой полуэлементов (электродов), на одном из которых происходит процесс окисления, а на другом – восстановления вследствие возникающей между электродами разности потенциалов (напряжения гальванического элемента)
Электродным потенциалом называется напряжение гальванического элемента, составленного из стандартного водородного электрода (φ = 0 В) и данного электрода

Слайд 61

Химическая коррозия металлов в различных средах

Химическая коррозия металлов в различных средах

Слайд 68

Коррозия металлов в солевых растворах

Основные причины коррозии металлов в природной воде
В  большинстве случаев

Коррозия металлов в солевых растворах Основные причины коррозии металлов в природной воде
следует рассмотреть возможность протекания двух процессов:
окисление металла катионами металлов, присутствующих в среде;  
окисление  металла в среде, которая образуется при гидролизе соли (разбавленными кислотами или водными растворами щелочей).

Слайд 69

Zn + CuCl2 + H2O
1)                Оценим возможность окисления цинка катионами меди Cu2+, т.е возможность протекания реакции:
Zn + CuCl2, р-р=

Zn + CuCl2 + H2O 1) Оценим возможность окисления цинка катионами меди
Сu↓ + ZnCl2.
Zn–восстановитель,  Сu2+-окислитель, Ео(Zn2+/Zn) =-0,76в,Еo(Cu2+Cu) =+0,34в:
εо1 =0,34 -(-0,76)=+1,1в >0. Цинк может окисляться катионами меди Сu2+. В принципе любой металл может окисляться катионами менее активных металлов, имеющих более положительные значения потенциалов.
2)                 Рассмотрим возможность  окисления металла продуктами гидролиза соли, с раствором которой контактирует металл.
Запишем уравнение гидролиза CuCl2 и определим реакцию среды. Соль гидролизуется по первой ступени по катиону слабого основания:
Cu2+ +H+OH- ↔ CuOH+ + H+,
СuCl2 + H2O ↔ CuOHCl + HCl.
Образующаяся соляная кислота будет окислять цинк:
Zn + 2HCl → ZnCl2 + H2,   ε2o= 0 –(-0,76)=0,76в.
Вывод: Цинк окисляется катинами Cu2+  и НСl, образующейся при гидролизе соли. Поскольку εо1>εо2, первый процесс протекает более интенсивно.